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電子元器件所能承受的靜電破壞的電壓是多少

更新時(shí)間:2019-01-04      點(diǎn)擊次數(shù):12709

電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少,相信大家都不知道吧,下面我們就一起來(lái)看看吧。

以下是一些參考資料中給出的數(shù)據(jù):

  器件類型

靜電破壞電壓(V) 

    器件類型     

靜電破壞電壓(V) 

  VMoS     

  30~1800        

  OP-AMP         

  190~2500        

  M0SFET   

  100~200        

 JEFT           

  140~1000        

  GaAsFET  

  100~300        

 SCL            

  680~1000        

  PROM     

 100            

 STTL           

  300~2500        

  CMoS     

  250~2000        

 DTL            

  380~7000        

  HMOS     

  50~500         

  肖特基二極管   

  300~3000        

   E/DMOS  

  200~1000       

 雙極型晶體管   

  380~7000        

ECL      

  300~2500       

 石英壓電晶體

  <10000          

從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏,而在干燥的環(huán)境中人活動(dòng)所產(chǎn)生的靜電可達(dá)幾千伏到幾萬(wàn)伏。

要想獲得某個(gè)元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗(yàn)才能測(cè)得。按照國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),一般使用靜電放電敏感度測(cè)試儀:

電子元器件靜電敏感度的試驗(yàn)主要用ESS-6008/ESS-6002半導(dǎo)體靜電放電模擬試驗(yàn)器,而用電子元器件組裝成組件、整機(jī)的電子設(shè)備靜電試驗(yàn)則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗(yàn)器來(lái)做試驗(yàn)。

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